报 告简介或简短摘要: 过渡金属氧化物一般与Mott绝缘体，小极化子等概念相关联。除少数d壳层全满或全空的过渡金属离子氧化物（二氧化钛，氧化亚铜，氧化锌等）以外，它们很 少被当作普通的半导体来应用。在本研究中， 我们提出高自旋半满d壳层的过渡金属离子氧化物能有望于半导体方面的应用。首先，通过研究岩盐机构以及闪锌矿结构的MnO，以及赤铁矿Fe2O3中空穴或 电子载流子的自陷行为，我们提出了“p-d5”的设计原理[1]。该原理指出四面体配位的二价Mn离子能支持半导体导电行为。利用该设计原理，通过第一原理计 算，我们成功的找出了一种新的空穴导电型透明导电氧化物——Li掺杂的Cr2MnO4，成功的预测了MnO-ZnO合金应用于光电化学水分解的前景。这两 项理论预测[2,3]都已经得到了实验的初步验证。

参考文献：

[1] H. Peng and S. Lany, Phys. Rev. B 85, 201202 (2012).

[2] H. Peng, P. F. Ndione, D. S. Ginley, A. Zakutayev, and S. Lany, Phys. Rev. X 5, 021016 (2015).

[3] H. Peng, A. Zakutayev, S. Lany, T. R. Paudel, M. d’Avezac, P. F. Ndione, J. D. Perkins, D. S. Ginley, A. R. Nagaraja, N. H. Perry, T. O. Mason, and A. Zunger, Adv. Funct. Mater. 23, 5267 (2013).

个人简介: 彭浩为于2009年于中国科学院半导体研究所博士毕业，2009-2014年分别在美国西北大学，国家可再生能源实验室做博士后研究．２０１４年１０月至今，他在美国天普大学John Perdew教授的研究组里担任研究助理教授。他的主要研究方向是半导体缺陷，以及计算材料设计。