报告题目：金属拓扑磁存储材料及功能化

报告人：侯志鹏 研究员

主持人（邀请人）： 张侃 教授

报告时间：2023年12月2日 15：30-17：00

报告地点：唐敖庆楼D429

主办单位：汽车材料教育部重点实验室；吉林大学材料科学与工程学院

报告摘要：以硬盘为代表的磁存储器件，存储了全球约百分之七十的数据。然而，其存储速度、密度和能耗均已趋于功能极限。近年来，新型磁存储材料和新器件不断涌现，特别是具有拓扑涡旋组态的斯格明子，凭借其纳米尺度、拓扑保护、低驱动电流密度等优异特性，被认为是突破存储极限、构建新一代磁存储技术的核心。目前，斯格明子主要依靠DzyaloshinskiiMoriya相互作用保持稳定。而DM相互作用产生须依赖强自旋轨道耦合和晶体结构对称破缺，条件苛刻，自然界中材料不多。同时，大多数材料的DM相互作用强度偏弱，要实现室温宽温域斯格明子，很有挑战。针对该问题，报告人系统发展了以磁偶极相互作用与海森堡交换作用竞争来代替DM相互作用的设计原理、制备技术和表征方法，取得良好进展：（1）从晶体结构与磁各向异性两个方面，对传统金属间化合物进行创新结构设计和物性调控，开发出迄今最高工作温度（630 K）和最宽温域（100 K–630 K）的斯格明子新材料Fe3Sn2；（2）在此基础上，将几何限域效应与应变调控相结合，建立了斯格明子多态、非易失、超低能耗调控新方法，为斯格明子器件研发提供了新思路。

报告人简介：侯志鹏，华南师范大学研究员，国家优秀青年科学基金（2023年）、广东省杰出青年基金（2022年）获得者。2015年在中科院物理所和吉林大学联合培养下获博士学位，师从王文全教授、吴光恒研究员，随后在中科院物理所、沙特阿卜杜拉国王科技大学做博士后研究。2018年9月加入华南师范大学。长期从事磁斯格明子材料开发与器件应用研究，以第一/通讯作者在Nat. Commun.、Adv. Mater等期刊发表SCI论文四十余篇。2022年获得“中国新锐科技人物创新贡献奖”。